SPB80N03S2L-03 G
Hersteller Produktnummer:

SPB80N03S2L-03 G

Product Overview

Hersteller:

Infineon Technologies

Teilenummer:

SPB80N03S2L-03 G-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 80A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2

Inventar:

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SPB80N03S2L-03 G Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.8mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
220 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
8180 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
300W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO263-3-2
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
SPB80N

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
SPB80N03S2L-03 G
HTML-Datenblatt
SPB80N03S2L-03 G-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1,000
Andere Namen
SPB80N03S2L-03G
SPB80N03S2L03GXT
SPB80N03S2L-03 G-DG
SP000200142

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
STB75NF75T4
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
967
TEILNUMMER
STB75NF75T4-DG
Einheitspreis
1.22
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
PSMN2R7-30BL,118
HERSTELLER
NXP USA Inc.
VERFÜGBARE ANZAHL
1450
TEILNUMMER
PSMN2R7-30BL,118-DG
Einheitspreis
0.73
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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